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SI4505DY-E3

更新时间： 2024-10-26 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 90K
描述
Transistor

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SI4505DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

SI4505DY-E3 数据手册

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Si4505DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
N- and P-Channel MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.018 @ V = 10 V  
GS  
7.8  
6.4  
N-Channel  
P-Channel  
30  
–8  
0.027 @ V = 4.5 V  
GS  
D Level Shift  
D Load Switch  
0.042 @ V = –4.5 V  
–5.0  
–4.0  
GS  
0.060 @ V = –2.5 V  
GS  
D
1
S
2
SO-8  
S
1
D
1
1
2
3
4
8
7
6
5
G
2
G
1
D
1
S
2
D
2
G
1
G
2
D
2
D
2
S
1
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
N-Channel  
P-Channel  
10 sec. Steady State 10 sec. Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
–8  
DS  
V
V
GS  
"20  
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
7.8  
6.0  
6.0  
5.2  
–5.0  
–3.6  
–3.8  
–3.0  
A
a,  
b
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
–30  
DM  
a,  
b
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.8  
2
1.0  
–1.8  
2
1.0  
1.2  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
1.20  
0.75  
A
a,  
b
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
1.3  
0.75  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P- Channel  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
50  
85  
30  
62.5  
105  
40  
50  
85  
30  
62.5  
105  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec  
Document Number: 71826  
S-20829—Rev. A, 17-Jun-02  
www.vishay.com  
1
1234567...9

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与SI4505DY-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4505DY-T1-E3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A/3.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI4505DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI4511DY VISHAY

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SI4532ADY MICROSEMI

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 		EVALUATION KIT

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