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SI4511DY-T1-E3 PDF预览

SI4511DY-T1-E3

更新时间： 2024-02-06 08:42:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 78K
描述
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI4511DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.78配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.6 A
最大漏极电流 (ID)：7.2 A最大漏源导通电阻：0.0145 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4511DY-T1-E3 数据手册

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Si4511DY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.0145 @ V = 10 V  
GS  
9.6  
8.6  
N-Channel  
P-Channel  
20  
0.017 @ V = 4.5 V  
GS  
D Level Shift  
D Load Switch  
0.033 @ V = −4.5 V  
−6.2  
−5  
GS  
−20  
0.050 @ V = −2.5 V  
GS  
D
1
S
2
SO-8  
S
1
D
1
1
2
3
4
8
7
6
5
G
2
G
1
D
1
S
2
D
2
G
1
G
2
D
2
D
2
S
1
Top View  
Ordering Information: Si4511DY  
Si4511DY-T1 (with Tape and Reel)  
Si4511DY—E3 (Lead (Pb)-Free)  
Si4511DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
N-Channel  
P-Channel  
10 sec. Steady State 10 sec. Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
−20  
DS  
V
V
GS  
"16  
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
9.6  
7.7  
7.2  
5.8  
−6.2  
−4.9  
−4.6  
−3.7  
A
a,  
b
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
−40  
DM  
a,  
b
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.7  
2
0.9  
1.1  
0.7  
−1.7  
2
0.9  
1.1  
0.7  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a,  
b
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P- Channel  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
50  
85  
30  
62.5  
110  
40  
50  
90  
30  
62.5  
110  
35  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec  
Document Number: 72223  
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04  
www.vishay.com  
1
12345678

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SI4511DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4539ADY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 TRANSISTOR 4400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPL

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4523DY VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SI4532ADY MICROSEMI

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 		EVALUATION KIT
SI4532ADY VISHAY

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 		N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4532ADY-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SI4532ADY-T1 VISHAY

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 		Transistor,
SI4532ADY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
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