5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4532ADY | MICROSEMI |
获取价格 |
EVALUATION KIT |
|
| SI4532ADY | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4532ADY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| SI4532ADY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
|
| SI4532ADY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| SI4532ADY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| SI4532CDY | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
|
| SI4532CDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
|
| SI4532DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| SI4532DY | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
