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SI4505DY-T1-E3 PDF预览

SI4505DY-T1-E3

更新时间： 2024-02-29 13:27:13
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 139K
描述
Trans MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A/3.8A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4505DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4505DY-T1-E3 数据手册

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Si4505DY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
7.8  
Definition  
0.018 at VGS = 10 V  
0.027 at VGS = 4.5 V  
0.042 at VGS = - 4.5 V  
0.060 at VGS = - 2.5 V  
•
TrenchFET® Power MOSFET  
N-Channel  
P-Channel  
30  
- 8  
6.4  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 5.0  
- 4.0  
APPLICATIONS  
•
Level Shift  
•
Load Switch  
SO-8  
S
G
S
D
D
1
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
1
1
2
2
S
2
D
D
D
G
2
G
G
1
Top View  
Ordering Information:Si4505DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4505DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
1
D
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
N-Channel  
P-Channel  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
30  
20  
10 s  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 8  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
7.8  
6.0  
6.0  
5.2  
- 5.0  
- 3.6  
- 3.8  
- 3.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
30  
- 30  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.8  
2
1.0  
- 1.8  
2
- 1.0  
1.2  
1.20  
0.75  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
1.3  
1.3  
0.75  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
Typ. Max.  
P-Channel  
Typ.  
Parameter  
Symbol  
Max.  
62.5  
105  
40  
Unit  
t ≤ 10 s  
50  
85  
30  
62.5  
105  
40  
50  
85  
30  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. t ≤ 10 s.  
Document Number: 71826  
S09-0868-Rev. C, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
1234567...9

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与SI4505DY-T1-E3相关器件

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SI4505DY-T1-GE3 VISHAY Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si

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