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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3455DV-T3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SI3455DV-T3-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| SI3456BDV | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3456BDV-T1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI3456BDV-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3456CDV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3456CDV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3456DDV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3456DDV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3456DDV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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