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SI2305

更新时间： 2024-11-19 18:09:03
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SOT-23

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SI2305  
LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL)  
FEATURES  
VDS=-20V,RDS(ON)≤42mΩ@VGS=-4.5V,ID=-5A  
Low on-resistance  
For DC to DC converter and Load switch applications  
Surface Mount device  
SOT-23  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
Value  
-20  
±10  
Unit  
V
V
V
DS  
V
GS  
I
D
Continuous drain current  
-5  
A
Continuous source-drain diode current  
Power dissipation  
I
P
S
-0.8  
0.35  
A
W
D
Thermal resistance from Junction to ambient (t≤10s)  
Junction temperature  
Storage temperature  
R
T
θJA  
357  
150  
-55 ~+150  
°C/W  
°C  
°C  
J
T
STG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min Typ Max Unit  
Conditions  
VGS=0V, ID=-250μA  
V(BR)DSS  
Drain-Source breakdown voltage  
Zero gate voltage drain current  
Gate-body leakage current  
Gate-threshold voltage (note 1)  
-20  
V
IDSS  
IGSS  
VGS(th) -0.4 -0.65 -1.0  
-1  
uA VDS=-10V ,  
VGS=0V  
±100 nA  
VDS=0V,  
VGS=±10V  
V
VDS=VGS, ID=-250μA  
32  
42  
60  
VGS=-4.5V, ID=-5A  
mΩ  
Drain-source on-resistance (note 1)  
RDS(ON)  
42  
GS  
D
V =-2.5V, I =-3A  
mΩ  
gFS  
Rg  
6
7
S
Ω
Forward transconductance (note 1)  
Gate resistance  
VDS=-5V, ID=-5A  
f=1MHz  
1.4  
14  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
740  
290  
190  
13  
35  
32  
10  
5
11  
22  
16  
7.8  
4.5  
1.2  
1.6  
pF  
pF  
pF  
nS  
Input capacitance  
VDS=-4V, VGS=0V, f=1MHz  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Turn-on rise time  
Turn-off delay time  
Turn-off fall time  
Turn-on delay time  
Turn-on rise time  
Turn-off delay time  
Turn-off fall time  
20  
53  
48  
20  
10  
17  
33  
24  
15  
9
nS VDD=-4V,ID≈-3.3A,  
nS  
nS  
nS  
nS VDD=-4V,ID≈-3.3A,  
nS  
nS  
VGEN=-4.5V,Rg=1Ω,RL=1.2Ω  
VGEN=-8V,Rg=1Ω,RL=1.2Ω  
nC VDS=-4V,VGS=-4.5V,ID=-5A  
nC  
Total gate charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
VSD  
IS  
nC VDS=-4V,VGS=-2.5V,ID=-5A  
nC  
V
A
A
Gate-source charge  
Gate-drain charge  
Diode forward voltage  
Diode forward current  
Pulse diode forward current(note 1)  
-1.2  
-1.4  
-10  
IF=- 5 A, VGS=0V  
TC = 25°C  
ISM  
Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 2% .  
1 / 5  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2305A UMW

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