5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI2305ADS-T1-E3
SI2305ADS-T1-E3 PDF预览

SI2305ADS-T1-E3

更新时间： 2024-11-18 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 139K
描述
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI2305ADS-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.44配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A
最大漏极电流 (ID)：5.4 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2305ADS-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI2305ADS-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI2305ADS-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI2305ADS-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI2305ADS-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI2305ADS-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI2305ADS-T1-E3的Datasheet PDF文件第7页 
New Product  
Si2305ADS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.040 at VGS = - 4.5 V  
0.060 at VGS = - 2.5 V  
0.088 at VGS = - 1.8 V  
- 4.1  
- 3.4  
- 2.0  
RoHS  
•
100 % Rg Tested  
COMPLIANT  
- 8  
7.8 nC  
APPLICATIONS  
•
•
Load Switch  
DC/DC Converter  
TO-236  
(SOT-23)  
S
G
S
1
2
3
D
G
Top View  
Si2305ADS (A5)*  
* Marking Code  
D
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si2305ADS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2305ADS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 8  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
8
- 5.4  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
T
- 4.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 4.1a, b  
- 3.3a, b  
- 10  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
- 1.4  
- 0.8a, b  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
1.7  
1.1  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
0.96a, b  
0.62a, b  
- 50 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
Document Number: 69940  
S-82713-Rev. C, 10-Nov-08  
www.vishay.com  
1
1234567

中文翻译

下载PDF

SI2305ADS-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2305ADS-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI5980DU-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

与SI2305ADS-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI2305ADS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI2305B MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2305BHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2305B-TP MCC

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
SI2305CDS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI2305CDS_13 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI2305CHE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
SI2305DS VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2305DS-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET

与SI2305ADS-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证