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SI2305A

更新时间： 2024-09-14 17:15:35

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	396K
描述
漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4A;栅极-源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小);漏源导通电阻:40mΩ@-4.5V;最大功耗（Ta = 25°C）:1.38W;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±12

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SI2305A 数据手册

UMW SI2305A

P-Channel MOSFET

UMW

■ Features

SOT–23

● VDS (V) = -20V

● RDS(ON)＜40mΩ(VGS=-4.5V),ID=-4.2A

● RDS(ON)＜50mΩ(VGS=-2.5V),ID=-3.4A

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

VDS

VGS

-20

Gate-source voltage

±12

-4.2

-3.4

Continuous drain current

TA=25℃

TA=70℃

Pulsed drain current

IDM

-10

1.38

0.8

Power dissipation

TA=25℃

TA=70℃

Thermal Resistance.Junction-to-Ambient

RθJA

℃/W

Operating junction and storage temperature range

Tj,Tstg

-55 to +150

℃

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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