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SI2305B-TP

更新时间： 2024-09-15 21:20:07

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美微科 - MCC		/
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4页	474K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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SI2305B-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.61	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

SI2305B-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

Micro Commercial Components

SI2305B

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

P-Channel

Enhancement Mode

TrenchFET MOSFET

•

Low RDSON

Field Effect Transistor

SOT-23

Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified

1.GATE

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-source Voltage

Continuous Drain Current

Rating

-20

-4.2

Unit

2. SOURCE

I_D

3. DRAIN

V_GS

Gate-source Voltage

±8

P_D

Total Power Dissipation

1.4

℃/W

℃

Thermal Resistance Junction to Ambient^b

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-55 to +150

T_STG

℃

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.110

DIM

MAX

.120

.104

MIN

2.80

2.10

MAX

3.04

2.64

NOTE

Internal Block Diagram

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

.085

.37

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2015/01/01

12 3 4

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与SI2305B-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI2305CDS	VISHAY	获取价格	P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
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SI2305DS-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET
SI2305DS-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2305DS-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2305DS-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND R
SI2305-TP	MCC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,