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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI2305ADS-T1-GE3
SI2305ADS-T1-GE3 PDF预览

SI2305ADS-T1-GE3

更新时间： 2024-09-15 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 139K
描述
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET

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SI2305ADS-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.44Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A最大漏极电流 (ID)：5.4 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si2305ADS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.040 at VGS = - 4.5 V  
0.060 at VGS = - 2.5 V  
0.088 at VGS = - 1.8 V  
- 4.1  
- 3.4  
- 2.0  
RoHS  
•
100 % Rg Tested  
COMPLIANT  
- 8  
7.8 nC  
APPLICATIONS  
•
•
Load Switch  
DC/DC Converter  
TO-236  
(SOT-23)  
S
G
S
1
2
3
D
G
Top View  
Si2305ADS (A5)*  
* Marking Code  
D
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si2305ADS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2305ADS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 8  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
8
- 5.4  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
T
- 4.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 4.1a, b  
- 3.3a, b  
- 10  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
- 1.4  
- 0.8a, b  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
1.7  
1.1  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
0.96a, b  
0.62a, b  
- 50 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
Document Number: 69940  
S-82713-Rev. C, 10-Nov-08  
www.vishay.com  
1
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SI2305ADS-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 20 v, 3.5A P-channel Trench MOSFET

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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
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 		Power Field-Effect Transistor,
SI2305CDS VISHAY

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 		P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI2305CDS_13 VISHAY

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 		P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
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 		P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
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 		Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
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 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
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 		TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET
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 		P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET

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