是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PUFM-X3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.76 |
应用: | HIGH VOLTAGE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流: | 200 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -50 °C | 最大输出电流: | 1.8 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 12000 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIB404DK | VISHAY |
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N-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SIB404DK-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 12 V (D-S) MOSFET | |
SIB406EDK | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SIB406EDK-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SIB408DK | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SIB408DK-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SIB410DK | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SIB410DK-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SIB411DK-T1-E3 | VISHAY |
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Transistor | |
SIB411DK-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |