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SIB411DK-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 20:59:23

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威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	128K
描述
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SIB411DK-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N3
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	4.8 A	最大漏源导通电阻：	0.066 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIB411DK-T1-GE3 数据手册

SiB411DK

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

TrenchFET^®Power MOSFET

- 9^a

0.066 at V_GS= - 4.5 V

0.094 at V_GS= - 2.5 V

0.130 at V_GS= - 1.8 V

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-75 Package

RoHS

- 20

6 nC

COMPLIANT

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

APPLICATIONS

•

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

PowerPAK SC-75-6L-Single

Devices

Marking Code

B B X

X X X

Part # code

Lot Traceability

and Date code

1.60 mm

P-Channel MOSFET

Ordering Information: SiB411DK-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

- 9^a

- 8.9^a

- 4.8^{b, c}

- 3.8^{b, c}

- 15

- 9^a

- 2^{b, c}

_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

8.4

P_D

Maximum Power Dissipation

2.4^{b, c}

1.6^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

Steady State

°C/W

R_thJC

7.5

9.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 105 °C/W.

Document Number: 74335

S-80515-Rev. C, 10-Mar-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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SIB412DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB412DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SIB413DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB413DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB414DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
SIB415DK	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIB415DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB415DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
SIB417AEDK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 8V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SIB417DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor

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