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SIB437EDKT-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 21:18:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 201K
描述
SiB437EDKT P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

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SIB437EDKT-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-75
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：13 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIB437EDKT-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiB437EDKT  
Vishay Siliconix  
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
- 9a  
- 5  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.034 at VGS = - 4.5 V  
0.063 at VGS = - 1.8 V  
0.084 at VGS = - 1.5 V  
0.180 at VGS = - 1.2 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
New Thermally Enhanced PowerPAK®  
SC-75 Package with ultra-thin 0.6 mm height  
- Small Footprint Area  
- 8  
10.5 nC  
- 3  
- 1  
- Low On-Resistance  
•
•
•
•
100 % R Tested  
g
Typical ESD Performance 2000 V  
Built in ESD Protection with Zener Diode  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Thin PowerPAK SC-75-6L-Single  
S
APPLICATIONS  
•
•
Load Switch for Portable Devices  
Load Switch for Low Voltage Gate Drive  
1
D
2
D
D
6
Marking Code  
3
G
G
D
5
R
0.60 mm  
B M X  
X X X  
S
1.60 mm  
Part # code  
S
4
1.60 mm  
Lot Traceability  
and Date code  
D
Ordering Information: SiB437EDKT-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 8  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
5
- 9a  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 9a  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 7.5b, c  
- 6b, c  
- 25  
- 9a  
- 2b, c  
13  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
T
C = 70 °C  
8.4  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
2.4b, c  
1.6b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJA  
t 5 s  
Steady State  
41  
51  
°C/W  
RthJC  
7.5  
9.5  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The Thin PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 105 °C/W.  
Document Number: 67402  
S11-0235-Rev. A, 14-Feb-11  
www.vishay.com  
1
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