Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 12:20:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC
页数	文件大小	规格书
9页	235K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SIB457EDK-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N3
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.57
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1120285	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	SIB457EDK-T1-GE3-2	Samacsys Released Date：	2020-05-15 10:20:43
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	6.8 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	13 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIB457EDK-T1-GE3 数据手册

New Product

SiB457EDK

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Definition

- 9^a

0.035 at V_GS= - 4.5 V

0.049 at V_GS= - 2.5 V

0.072 at V_GS= - 1.8 V

0.130 at V_GS= - 1.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-75 Package

- 20

13 nC

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

- 2

•

100 % R Tested

Typical ESD Performance: 2500 V

Built in ESD Protection with Zener Diode

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

PowerPAK SC-75-6L-Single

APPLICATIONS

•

Load Switch for Portable Devices

Load Switch for Charging Circuits

Marking Code

B J X

X X X

Part # code

Lot Traceability

and Date code

1.60 mm

Ordering Information: SiB457EDK-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 9^a

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 9^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 6.8^{b, c}

- 5.5^{b, c}

- 25

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

- 9^a

- 2^{b, c}

_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

8.4

Maximum Power Dissipation

P_D

2.4^{b, c}

1.6^{b, c}

- 55 to 150

260

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

T_J, T_stg

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

R_thJA

t ≤ 5 s

Steady State

°C/W

R_thJC

7.5

9.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 105 °C/W.

Document Number: 64816

S09-1497-Rev. B, 10-Aug-09

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...9

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