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SIB414DK-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 19:49:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	143K
描述
Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R

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SIB414DK-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N3
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	8 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	7.9 A	最大漏源导通电阻：	0.026 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIB414DK-T1-GE3 数据手册

New Product

SiB414DK

Vishay Siliconix

N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

TrenchFET^®Power MOSFET

9^a

0.026 at V_GS= 4.5 V

0.030 at V_GS= 2.5 V

0.037 at V_GS= 1.8 V

0.052 at V_GS= 1.5 V

0.089 at V_GS= 1.2 V

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-75 Package

RoHS

COMPLIANT

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

8.6 nC

APPLICATIONS

•

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

Devices

PowerPAK SC-75-6L-Single

•

DC/DC Converter

Marking Code

A B X

X X X

Part # code

Lot Traceability

and Date code

1.60 mm

Ordering Information: SiB414DK-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

9^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

7.9^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

6.3^{b, c}

9^a

2^{b, c}

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

8.4

P_D

Maximum Power Dissipation

2.4^{b, c}

1.6^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

°C

260

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

R_thJC

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

°C/W

Steady State

7.5

9.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 105 °C/W.

Document Number: 74635

S-80515-Rev. C, 10-Mar-08

www.vishay.com

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SIB417AEDK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 8V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SIB417DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB417DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.6 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SiB417EDK	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
SIB417EDK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.8 A, 8 V, 0.058 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SIB419DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB419DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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