Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 09:25:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	193K
描述
N-Channel 12 V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIB404DK-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-C3	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.87	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.019 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-C3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIB404DK-T1-GE3 数据手册

New Product

SiB404DK

Vishay Siliconix

N-Channel 12 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

I_D(A)^a

V_DS(V)

R_DS(on)()

Q_g(Typ.)

Definition

0.019 at V_GS= 4.5 V

0.022 at V_GS= 2.5 V

0.026 at V_GS= 1.8 V

0.065 at V_GS= 1.2 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-75 Package

9.6 nC

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

- Thin 0.75 mm Profile

100 % R_gTested

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

PowerPAK SC-75-6L-Single

•

APPLICATIONS

•

Portable Devices

•

Low Voltage Gate Drive Load Switch

Marking Code

A I X

Part # code

X X X

1.60 mm

Lot Traceability

and Date code

1.60 mm

Ordering Information: SiB404DK-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

_C= 25 °C

_C= 70 °C

9^a

8.9^{b, c}

7.1^{b, c}

9^a

2.1^{b, c}

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

8.4

P_D

Maximum Power Dissipation

2.5^{b, c}

1.6^{b, c}

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t  5 s

Steady State

°C/W

R_thJC

7.5

9.5

Notes:

a. Package limited, T_C= 25 °C.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under steady state conditions is 105 °C/W.

Document Number: 67099

S11-0236-Rev. A, 14-Feb-11

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与SIB404DK-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIB406EDK	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIB406EDK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIB408DK	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIB408DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIB410DK	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIB410DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIB411DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB411DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SIB412DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB412DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与SIB404DK-T1-GE3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

11
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3 技术参数

SIB404DK-T1-GE3 数据手册

与SIB404DK-T1-GE3相关器件

与SIB404DK-T1-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3 技术参数

SIB404DK-T1-GE3 数据手册

与SIB404DK-T1-GE3相关器件

与SIB404DK-T1-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？