Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 09:25:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	228K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SIB408DK-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.83
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	13 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIB408DK-T1-GE3 数据手册

New Product

SiB408DK

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Definition

7^a

0.040 at V_GS= 10 V

0.050 at V_GS= 4.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-75 Package

2.9 nC

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

100 % R_gTested

•

PowerPAK SC-75-6L-Single

100 % UIS Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Notebook

Marking Code

- Load Switch

A E X

Part # code

X X X

Lot Traceability

and Date code

1.60 mm

Ordering Information: SiB408DK-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

V_GS

Limit

Unit

7^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

6^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

4.8^{b, c}

7^a

2^{b, c}

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

Avalanche Current Pulse

Avalanche Energy

I_AS

E_AS

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

8.4

P_D

Maximum Power Dissipation

2.4^{b, c}

1.6^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

°C

260

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

R_thJC

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

°C/W

Steady State

7.5

9.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 105 °C/W.

Document Number: 64828

S09-0859-Rev. A, 18-May-09

www.vishay.com

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SIZ704DT-T1-GE3	VISHAY	功能相似	N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

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SIB410DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIB411DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB411DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SIB412DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB412DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SIB413DK-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB413DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Transistor
SIB414DK-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
SIB415DK	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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