Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 09:25:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	192K
描述
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SIB410DK-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C3
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.85
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XDSO-C3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIB410DK-T1-GE3 数据手册

New Product

SiB410DK

Vishay Siliconix

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

Definition

0.042 at V_GS= 4.5 V

0.046 at V_GS= 2.5 V

0.052 at V_GS= 1.8 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

5.7 nC

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

PowerPAK SC-75-6L-Single

•

DC/DC Converters

•

Boost Converters

Marking Code

A H X

X X X

Part # code

Lot Traceability

and Date code

1.60 mm

Ordering Information: SiB410DK-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

9^a

5.9^{b, c}

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

4.7^{b, c}

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

9^a

2.1^{b, c}

_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

8.4

P_D

Maximum Power Dissipation

2.5^{b, c}

1.6^{b, c}

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Symbol

Typical

Maximum

Unit

R_thJA

R_thJC

t  5 s

Steady State

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

7.5

9.5

Notes:

a. Package limited, T_C= 25 °C.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under steady state conditions is 105 °C/W.

Document Number: 67020

S10-2249-Rev. A, 04-Oct-10

www.vishay.com

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