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SIB417EDK-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 21:16:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	218K
描述
TRANSISTOR 5.8 A, 8 V, 0.058 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-75, POWERPAK-6, FET General Purpose Power

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SIB417EDK-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N3	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	5.8 A
最大漏源导通电阻：	0.058 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XDSO-N3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	13 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIB417EDK-T1-GE3 数据手册

SiB417EDK

Vishay Siliconix

P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Definition

- 9.0^a

0.058 at V_GS= - 4.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-75 Package

- 9.0^a

- 4.0

- 2.0

- 0.5

0.080 at V_GS= - 2.5 V

0.100 at V_GS= - 1.8 V

0.130 at V_GS= - 1.5 V

0.250 at V_GS= - 1.2 V

- 8

7.3 nC

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

•

100 % R_gTested

Typical ESD Protection 900 V

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

PowerPAK SC-75-6L-Single

APPLICATIONS

Load Switch for Portable Devices

•

Marking Code

B G X

Part # code

X X X

Lot Traceability

and Date code

1.60 mm

Ordering Information: SiB417EDK-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Limit

- 8

Unit

V_GS

- 9^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 5.8^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 4.6^{b, c}

- 15

- 9^a

- 2^{b, c}

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

8.4

P_D

Maximum Power Dissipation

2.4^{b, c}

1.6^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

°C/W

R_thJC

Steady State

7.5

9.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 105 °C/W.

Document Number: 68699

S09-1500-Rev. B, 10-Aug-09

www.vishay.com

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