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SGW15N120

更新时间： 2024-09-18 22:21:55

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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12页	454K
描述
Fast IGBT in NPT-technology

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SGW15N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	26 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	198 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	24 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	683 ns
标称接通时间 (ton)：	68 ns	Base Number Matches：	1

SGW15N120 数据手册

SGP15N120 SGP15N120

SGW15N120

Fast IGBT in NPT-technology

• 40% lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

- SMPS

• NPT-Technology offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK) P-TO-247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off

T_j

Package

Ordering Code

SGP15N120

SGB15N120

SGW15N120

1200V

15A

1.5mJ

TO-220AB

Q67040-S4274

150°C

TO-263AB(D2PAK) Q67040-S4275

TO-247AC

Q67040-S4276

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

1200

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 15A, V_CC= 50V, R_GE= 25Ω, start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, 100V≤ V_CC≤1200V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

198

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

260

°C

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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SGW15N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PC50WPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40UDPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SGW15N60	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW15N60	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGW15N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW15N60RUF	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW15N60RUFTM	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGW20N60	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60	INFINEON	获取价格	Fast S-IGBT in NPT-technology
SGW20N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW20N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology

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