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SGW25N120

更新时间： 2024-09-18 22:21:55

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	381K
描述
Fast IGBT in NPT-technology

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SGW25N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	6.04	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	46 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	31 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	313 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	25 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	862 ns	标称接通时间 (ton)：	86 ns

SGW25N120 数据手册

SGW25N120

Fast IGBT in NPT-technology

• 40% lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

- SMPS

• NPT-Technology offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-247-3-1

(TO-247AC)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off

T_j

Package

Ordering Code

SGW25N120

1200V

25A

2.9mJ

TO-247AC

Q67040-S4277

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

1200

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 25A, V_CC= 50V, R_GE= 25Ω, start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, 100V ≤V_CC≤1200V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

130

t_SC

µs

P_{t ot}

313

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

260

°C

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...11

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SGW25N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PC50FDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PF50WDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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SGW30N60	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGW30N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW30N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SGW30N60HSXK	INFINEON	获取价格	暂无描述
SGW30N60XK	INFINEON	获取价格	暂无描述
SGW50N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGW50N60HS_09	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SGW50N60HSXK	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, P
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