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SGW6N60UFD

更新时间： 2024-09-18 22:14:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 572K
描述
Ultra-Fast IGBT

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SGW6N60UFD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.81Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：280 ns
门极发射器阈值电压最大值：7.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：202 ns
标称接通时间 (ton)：54 nsBase Number Matches：1

SGW6N60UFD 数据手册

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IGBT  
SGW6N60UFD  
Ultra-Fast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UFD series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 3A  
CE(sat)  
C
CO-PAK, IGBT with FRD : t = 35ns (typ.)  
rr  
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
C
G
D2-PAK  
G
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGW6N60UFD  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
6
A
C
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
3
A
C
I
I
I
Pulsed Collector Current  
25  
A
CM (1)  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T = 100°C  
4
A
F
C
25  
30  
A
FM  
P
@ T  
=
25°C  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
12  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
(IGBT)  
4.0  
7.0  
40  
θJC  
θJC  
θJA  
(DIODE)  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
--  
(2)  
Notes :  
(2) Mounted on 1” squre PCB (FR4 or G-10 Material)  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGW6N60UFD Rev. A1  
12345678

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与SGW6N60UFD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGW6N60UFDTM FAIRCHILD

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 		暂无描述
SGW6N60UFTM FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGX0008-0G-EF FOXCONN

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 		RF SMA Connector, Male, Board Mount, Solder Terminal, LEAD FREE
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