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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 41 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 391 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 78 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGW30N60HS | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation |
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| SGW30N60HSXK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SGW30N60XK | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SGW50N60HS | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology |
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| SGW50N60HS_09 | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation |
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| SGW50N60HSXK | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, P |
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| SGW5N60RUF | FAIRCHILD |
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Short Circuit Rated IGBT |
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| SGW5N60RUFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Short Circuit Rated IGBT |
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| SGW5N60RUFDTM | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| SGW5N60RUFDTM | ROCHESTER |
获取价格 |
8A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, D2PAK-3 |
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