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SGW30N60HS

更新时间： 2024-11-08 06:11:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
12页 384K
描述
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation

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SGW30N60HS 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.6Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：41 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：301 ns
标称接通时间 (ton)：39 nsBase Number Matches：1

SGW30N60HS 数据手册

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SGP30N60HS  
SGW30N60HS  
High Speed IGBT in NPT-technology  
• 30% lower Eoff compared to previous generation  
• Short circuit withstand time – 10 µs  
C
G
E
• Designed for operation above 30 kHz  
• NPT-Technology for 600V applications offers:  
- parallel switching capability  
PG-TO-220-3-1  
PG-TO-247-3  
- moderate Eoff increase with temperature  
- very tight parameter distribution  
•
•
•
•
High ruggedness, temperature stable behaviour  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Qualified according to JEDEC1 for target applications  
Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/  
Type  
VCE  
IC  
Eoff)  
Tj  
Marking  
Package  
SGP30N60HS  
SGW30N60HS  
Maximum Ratings  
Parameter  
600V  
600V  
30  
30  
480µJ  
480µJ  
G30N60HS PG-TO-220-3-1  
G30N60HS PG-TO-247-3  
150°C  
150°C  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
DC collector current  
TC = 25°C  
VCE  
IC  
600  
V
A
41  
30  
TC = 100°C  
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
Turn off safe operating area  
ICpuls  
-
112  
112  
V
CE ≤ 600V, Tj ≤ 150°C  
Avalanche energy single pulse  
IC = 20A, VCC=50V, RGE=25Ω  
start TJ=25°C  
EAS  
165  
mJ  
Gate-emitter voltage static  
VGE  
tSC  
V
±20  
±30  
transient (tp<1µs, D<0.05)  
Short circuit withstand time2)  
10  
µs  
W
°C  
V
GE = 15V, VCC ≤ 600V, Tj ≤ 150°C  
Power dissipation  
TC = 25°C  
Operating junction and storage temperature  
Ptot  
250  
Tj ,  
-55...+150  
Tstg  
Time limited operating junction temperature for t < 150h  
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
Tj(tl)  
-
175  
260  
1 J-STD-020 and JESD-022  
2) Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.  
1
Rev. 2.4 Nov 09  
Power Semiconductors  
1234567...12

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SGW30N60HS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC50WPBF INFINEON

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 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50UDPBF INFINEON

类似代替

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SGW30N60HSXK INFINEON

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SGW50N60HS_09 INFINEON

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 		High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SGW50N60HSXK INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, P
SGW5N60RUF FAIRCHILD

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 		Short Circuit Rated IGBT
SGW5N60RUFD FAIRCHILD

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 		Short Circuit Rated IGBT
SGW5N60RUFDTM FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGW5N60RUFDTM ROCHESTER

获取价格

 		8A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, D2PAK-3
SGW5N60RUFTM FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3

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