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SGW20N60HS

更新时间： 2024-09-18 22:21:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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High Speed IGBT in NPT-technology

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SGW20N60HS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	36 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	178 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	235 ns	标称接通时间 (ton)：	30 ns
Base Number Matches：	1

SGW20N60HS 数据手册

SGP20N60HS

SGW20N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology

• 30% lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for operation above 30 kHz

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-247-3-1

(TO-247AC)

- moderate E_offincrease with temperature

- very tight parameter distribution

•

High ruggedness, temperature stable behaviour

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off

T_j

Package

TO220AB

TO-247AC

Ordering Code

Q67040-S4498

Q67040-S4499

SGP20N60HS

600V

240µJ

150°C

SGW20N60HS

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Avalanche energy single pulse

I_C= 20A, V_CC=50V, R_GE=25Ω

start T_J=25°C

E_AS

115

Gate-emitter voltage static

V_{G E}

±20

±30

transient (t_p<1µs, D<0.05)

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

178

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j,

-55...+150

°C

T_stg

Time limited operating junction temperature for t < 150h

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

T_j(tl)

175

260

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev.2 Aug-02

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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SGW20N60HS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PC40UDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IGW40T120	INFINEON	类似代替	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IRG4PF50WPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

与SGW20N60HS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGW20N60RUF	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60RUFTM	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
SGW20N60XK	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW23N60UF	FAIRCHILD	获取价格	Ultra-Fast IGBT
SGW23N60UFD	FAIRCHILD	获取价格	Ultra-Fast IGBT
SGW23N60UFTM	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGW25N120	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGW25N120_09	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGW30N60	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGW30N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL

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