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SGW15N60

更新时间： 2024-09-18 22:18:35

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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描述
Fast IGBT in NPT-technology

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SGW15N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	31 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	55 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	138 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	40 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

SGW15N60 数据手册

SGP15N60, SGB15N60

SGW15N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK) P-TO-247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SGP15N60

SGB15N60

SGW15N60

600V

15A

2.3V

TO-220AB

TO-263AB

TO-247AC

Q67040-S4508

Q67041-A4711

Q67040-S4235

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 15 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

139

µs

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGW15N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW15N60RUF	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW15N60RUFTM	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGW20N60	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60	INFINEON	获取价格	Fast S-IGBT in NPT-technology
SGW20N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW20N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGW20N60HS	ROCHESTER	获取价格	36A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
SGW20N60RUF	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60RUFTM	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述

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