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SGW20N60

更新时间： 2024-11-09 22:21:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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Fast S-IGBT in NPT-technology

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SGW20N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	65 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	178 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	46 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	313 ns
标称接通时间 (ton)：	66 ns	Base Number Matches：	1

SGW20N60 数据手册

SGP20N60

SGB20N60, SGW20N60

Fast S-IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation combined with

low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SGP20N60

SGB20N60

SGW20N60

600V

20A

2.4V

TO-220AB

TO-263AB

TO-247AC

Q67041-A4712-A2

Q67041-A4712-A4

Q67040-S4236

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 20 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

115

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

179

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Mar-00

12 3 4 5 6 7...12

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SGW20N60 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PC50WPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40UDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与SGW20N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGW20N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW20N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGW20N60HS	ROCHESTER	获取价格	36A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
SGW20N60RUF	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60RUFTM	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
SGW20N60XK	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW23N60UF	FAIRCHILD	获取价格	Ultra-Fast IGBT
SGW23N60UFD	FAIRCHILD	获取价格	Ultra-Fast IGBT
SGW23N60UFTM	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGW25N120	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology

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