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SGW15N60FKSA1

更新时间： 2024-09-19 21:17:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	335K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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SGW15N60FKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	31 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

SGW15N60FKSA1 数据手册

SGP15N60

SGW15N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO-220-3-1

PG-TO-247-3

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Marking

Package

Type

SGP15N60

SGW15N60

600V

15A

2.3V

G15N60 PG-TO-220-3-1

G15N60 PG-TO-247-3

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_Cpuls

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_GE

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 15 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time²

t_SC

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_tot

139

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature,

T_j, T_stg

T_s

-55...+150

260

°C

wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.3 Sep 08

12 3 4 5 6 7...12

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SGW15N60FKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PC50WPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40UDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与SGW15N60FKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGW15N60RUF	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW15N60RUFTM	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
SGW20N60	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60	INFINEON	获取价格	Fast S-IGBT in NPT-technology
SGW20N60FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL
SGW20N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGW20N60HS	ROCHESTER	获取价格	36A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
SGW20N60RUF	FAIRCHILD	获取价格	Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60RUFTM	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
SGW20N60XK	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL

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