Datasheet > PDTC123JE,115

PDTC123JE,115

更新时间： 2024-11-01 21:19:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
18页	850K
描述
PDTC123J series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ SC-75 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDTC123JE,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	PLASTIC, EMT3, SMD, SC-75, SMPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.22	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.15 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

PDTC123JE,115 数据手册

Important notice

Dear Customer,

On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the

tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS

semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable

application markets

In data sheets and application notes which still contain NXP or Philips Semiconductors references, use

the references to Nexperia, as shown below.

Instead of http://www.nxp.com, http://www.philips.com/ or http://www.semiconductors.philips.com/,

use http://www.nexperia.com

Instead of sales.addresses@www.nxp.com or sales.addresses@www.semiconductors.philips.com, use

salesaddresses@nexperia.com (email)

Replace the copyright notice at the bottom of each page or elsewhere in the document, depending on

the version, as shown below:

reserved

Should be replaced with:

If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales office via e-mail

or telephone (details via salesaddresses@nexperia.com). Thank you for your cooperation and

understanding,

Kind regards,

Team Nexperia

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

PDTC123JE,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MUN5235T1G	ONSEMI	功能相似	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS
DTC123JET1G	ONSEMI	功能相似	Bias Resistor Transistor

与PDTC123JE,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC123JE/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene
PDTC123JEF	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JEFT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP Gene
PDTC123JET/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene
PDTC123JK	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JM	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JM	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JM,315	ETC	获取价格	TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
PDTC123JMB	NXP	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA
PDTC123JMB	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ

与PDTC123JE,115相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PDTC123JE,115

PDTC123JE,115 技术参数

PDTC123JE,115 数据手册

PDTC123JE,115 替代型号

与PDTC123JE,115相关器件

与PDTC123JE,115相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PDTC123JE,115

PDTC123JE,115 技术参数

PDTC123JE,115 数据手册

PDTC123JE,115 替代型号

与PDTC123JE,115相关器件

与PDTC123JE,115相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？