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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-75 | 包装说明： | PLASTIC, EMT3, SMD, SC-75, SMPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 7.22 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.15 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MUN5235T1G | ONSEMI |
功能相似  |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
|
| DTC123JET1G | ONSEMI |
功能相似 |
Bias Resistor Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC123JE/T4 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene |
|
| PDTC123JEF | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123JEFT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP Gene |
|
| PDTC123JET/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene |
|
| PDTC123JK | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
|
| PDTC123JM | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
|
| PDTC123JM | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123JM,315 | ETC |
获取价格 |
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 |
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| PDTC123JMB | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
|
| PDTC123JMB | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ |
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