5秒后页面跳转
PDTC123JT PDF预览

PDTC123JT

更新时间: 2024-10-31 22:50:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 70K
描述
NPN resistor-equipped transistor

PDTC123JT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.08
Is Samacsys:N其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.25 W
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

PDTC123JT 数据手册

 浏览型号PDTC123JT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PDTC123JT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PDTC123JT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PDTC123JT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PDTC123JT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PDTC123JT的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PDTC123JT  
NPN resistor-equipped transistor  
1999 May 18  
Product specification  
Supersedes data of 1998 May 08  

PDTC123JT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCR108 INFINEON

类似代替

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir
DRC2123J0L PANASONIC

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
PDTC123JT,215 NXP

功能相似

PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans

与PDTC123JT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PDTC123JT,215 NXP

获取价格

PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans
PDTC123JT,235 ETC

获取价格

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
PDTC123JT-Q NEXPERIA

获取价格

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JTT/R NXP

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
PDTC123JTTRL NXP

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
PDTC123JU NXP

获取价格

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JU NEXPERIA

获取价格

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JU,115 NXP

获取价格

PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans
PDTC123JU-Q NEXPERIA

获取价格

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC123T NXP

获取价格

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open