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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 7.19 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.25 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMUN2231LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Bias Resistor Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC123JT,235 | ETC |
获取价格 |
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
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| PDTC123JT-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123JTT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
|
| PDTC123JTTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| PDTC123JU | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
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| PDTC123JU | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor |
|
| PDTC123JU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans |
|
| PDTC123JU-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor |
|
| PDTC123T | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open |
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| PDTC123TE | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 killoohm, R2 = open |
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