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PDTC123JTT/R

更新时间： 2024-02-25 21:43:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	98K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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PDTC123JTT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.11	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PDTC123J series

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ

Product data sheet

2004 Aug 13

Supersedes data of 2003 Apr 10

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC123JTTRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
PDTC123JU	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC123JU	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC123JU,115	NXP	获取价格	PDTC123J series - NPN resistor-equipped trans
PDTC123JU-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC123T	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open
PDTC123TE	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 killoohm, R2 = open
PDTC123TE,115	NXP	获取价格	PDTC123T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open SC-75 3-Pin
PDTC123TK	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open
PDTC123TM	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 killoohm, R2 = open