5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DTC123EM3T5G | ONSEMI |
功能相似  |
Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resis |
|
| MUN5235T1G | ONSEMI |
功能相似 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC123TT,215 | NXP |
获取价格 |
PDTC123T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open TO-236 3-Pin |
|
| PDTC123TT,235 | NXP |
获取价格 |
PDTC123T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open TO-236 3-Pin |
|
| PDTC123TU | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
|
| PDTC123TU | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = openProduction |
|
| PDTC123TU,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open SC-70 3-Pin |
|
| PDTC123Y | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm |
|
| PDTC123YE | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm |
|
| PDTC123YK | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm |
|
| PDTC123YK,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC123Y series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm SMT 3-Pi |
|
| PDTC123YM | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
