PDTC123YE

更新时间： 2024-11-24 04:10:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	80K
描述
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDTC123YE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.5	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PDTC123YE 数据手册

PDTC123Y series

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ

Rev. 03 — 24 March 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.

Table 1:

Product overview

Type number

Package

Philips

SOT416

SOT346

SOT883

SOT54

PNP complement

JEITA

SC-75

SC-59A

SC-101

SC-43A

JEDEC

PDTC123YE

PDTC123YK

PDTC123YM

PDTC123YS^[1]

PDTC123YT

PDTC123YU

PDTA123YE

PDTA123YK

PDTA123YM

PDTA123YS

PDTA123YT

PDTA123YU

TO-236

TO-92

SOT23

TO-236AB

SOT323

SC-70

[1] Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see Section 2).

1.2 Features

■ Built-in bias resistors

■ Reduces component count

■ Simpliﬁes circuit design

■ Reduces pick and place costs

1.3 Applications

■ General-purpose switching and

■ Circuit drivers

ampliﬁcation

■ Inverter and interface circuits

1.4 Quick reference data

Table 2:

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

open base

100

2.86

5.5

kΩ

1.54

3.6

2.2

4.5

R2/R1

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

PDTC123YE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DDTC123YE-7-F	DIODES	功能相似	NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTC123YE-7	DIODES	功能相似	NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与PDTC123YE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC123YK	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm
PDTC123YK,115	NXP	获取价格	PDTC123Y series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm SMT 3-Pi
PDTC123YM	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm
PDTC123YM	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k?, R2 = 10 k?Production
PDTC123YM,315	NXP	获取价格	PDTC123Y series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm DFN 3-Pi
PDTC123YMB	NXP	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA
PDTC123YMB	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ
PDTC123YQB	NEXPERIA	获取价格	Production
PDTC123YQB-Q	NEXPERIA	获取价格	Production
PDTC123YS	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 10 k-ohm

与PDTC123YE相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PDTC123YE

PDTC123YE 技术参数

PDTC123YE 数据手册

PDTC123YE 替代型号

与PDTC123YE相关器件

与PDTC123YE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PDTC123YE

PDTC123YE 技术参数

PDTC123YE 数据手册

PDTC123YE 替代型号

与PDTC123YE相关器件

与PDTC123YE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？