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PDTC124EM

更新时间： 2023-09-03 20:34:47

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	225K
描述
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩProduction

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PDTC124EM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
晶体管元件材料：	SILICON

PDTC124EM 数据手册

PDTC124EM

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor;

R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ

27 October 2022

Product data sheet

1. General description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small SOT883 (SC-101) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PDTA124EM

2. Features and benefits

•

100 mA output current capability

•

Built-in bias resistors

Simplifies circuit design

Reduces component count

Reduces pick and place costs

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Digital application in automotive and industrial segments

Cost-saving alternative for BC847 series in digital applications

Controlling IC inputs

Switching loads

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_O

output current

100

28.6

1.2

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

[1]

15.4

0.8

R2/R1

[1] See "Section 11: Test information" for resistor calculation and test conditions.

12 3 4 5 6 7...12

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