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PDTC124ET/T3 PDF预览

PDTC124ET/T3

更新时间： 2024-11-15 15:47:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 749K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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PDTC124ET/T3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.08其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：3.5 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

PDTC124ET/T3 数据手册

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PDTC124E series  
NPN resistor-equipped transistors;  
R1 = 22 k, R2 = 22 k  
Rev. 8 — 28 November 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in Surface-Mounted Device (SMD)  
plastic packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
PNP  
complement  
Package  
configuration  
JEITA  
SC-75  
SC-101  
-
JEDEC  
PDTC124EE  
PDTC124EM  
PDTC124ET  
PDTC124EU  
SOT416  
SOT883  
SOT23  
SOT323  
-
-
PDTA124EE  
PDTA124EM  
ultra small  
leadless ultra small  
small  
TO-236AB PDTA124ET  
PDTA124EU  
SC-70  
-
very small  
1.2 Features and benefits  
100 mA output current capability  
Built-in bias resistors  
Reduces component count  
Reduces pick and place costs  
AEC-Q101 qualified  
Simplifies circuit design  
1.3 Applications  
Digital applications in automotive and  
industrial segments  
Cost-saving alternative for BC847/857  
series in digital applications  
Switching loads  
Control of IC inputs  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
VCEO  
IO  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
-
Typ  
Max  
50  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
output current  
open base  
-
-
-
100  
28.6  
1.2  
mA  
k  
R1  
bias resistor 1 (input)  
bias resistor ratio  
15.4  
0.8  
22  
1
R2/R1  
1234567...17

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