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PDTC124EMB

更新时间： 2024-11-24 20:11:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
11页	709K
描述
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006B-3, 3 PIN

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PDTC124EMB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006B-3, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PBCC-N3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	230 MHz	Base Number Matches：	1

PDTC124EMB 数据手册

PDTC124EMB

SOT883B

NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ

Rev. 1 — 16 May 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3

(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PDTA124EMB.

1.2 Features and benefits

 100 mA output current capability

 Reduces component count

 Built-in bias resistors

 Simplifies circuit design

 AEC-Q101 qualified

 Leadless ultra small SMD plastic

package

 Reduces pick and place costs

 Low package height of 0.37 mm

1.3 Applications

 Low-current peripheral driver

 Control of IC inputs

 Replaces general-purpose transistors

in digital applications

 Mobile applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_CEO

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter

voltage

open base

I_O

output current

100

28.6

1.2

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

T_amb= 25 °C

15.4

0.8

kΩ

R2/R1

12 3 4 5 6 7...11

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