PDTC123TE

更新时间： 2024-09-27 12:05:15

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	85K
描述
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 killoohm, R2 = open

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PDTC123TE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PDTC123TE 数据手册

PDTC123T series

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

Rev. 01 — 10 March 2006

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family in Surface Mounted Device (SMD)

plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

Philips

SOT416

SOT346

SOT883

SOT54

PNP complement

JEITA

SC-75

SC-59A

SC-101

SC-43A

JEDEC

PDTC123TE

PDTC123TK

PDTC123TM

PDTC123TS^[1]

PDTC123TT

PDTC123TU

PDTA123TE

PDTA123TK

PDTA123TM

PDTA123TS

PDTA123TT

PDTA123TU

TO-236

TO-92

SOT23

TO-236AB

SOT323

SC-70

[1] Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see Section 2).

1.2 Features

I Built-in bias resistors

I Reduces component count

I Simpliﬁes circuit design

I 100 mA output current capability

I Reduces pick and place costs

1.3 Applications

I Digital applications

I Cost-saving alternative for BC847 series

in digital applications

I Control of IC inputs

I Switching loads

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

output current

open base

100

2.86

kΩ

bias resistor 1 (input)

1.54

2.2

12 3 4 5 6 7...10

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PDTC123TE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DTC123EM3T5G	ONSEMI	功能相似	Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resis
MUN5235T1G	ONSEMI	功能相似	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS

与PDTC123TE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC123TE,115	NXP	获取价格	PDTC123T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open SC-75 3-Pin
PDTC123TK	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open
PDTC123TM	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 killoohm, R2 = open
PDTC123TM	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = openProduction
PDTC123TM,315	NXP	获取价格	PDTC123T series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open DFN 3-Pin
PDTC123TMB	NXP	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA
PDTC123TMB	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ
PDTC123TMB,315	NXP	获取价格	PDTC123TMB - NPN resistor-equipped transistor
PDTC123TS	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 killoohm, R2 = open
PDTC123TT	NXP	获取价格	Low VCEsat (BISS) transistors

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