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PDTC123JT

更新时间： 2024-11-25 11:13:43
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 804K
描述
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩProduction

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PDTC123JT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PDTC123JT 数据手册

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PDTC123JT  
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor;  
R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ  
1 April 2023  
Product data sheet  
1. General description  
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device  
(SMD) plastic package.  
PNP complement: PDTA123JT  
2. Features and benefits  
•
100 mA output current capability  
•
•
•
•
Built-in bias resistors  
Simplifies circuit design  
Reduces component count  
Reduces pick and place costs  
3. Applications  
•
•
•
•
Digital application in industrial segments  
Cost-saving alternative for BC847 series in digital applications  
Controlling IC inputs  
Switching loads  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
50  
V
IO  
output current  
-
-
100  
2.86  
26  
mA  
kΩ  
R1  
bias resistor 1 (input)  
bias resistor ratio  
[1]  
[1]  
1.54  
17  
2.2  
21  
R2/R1  
[1] See "Section 11: Test information" for resistor calculation and test conditions.  
 
 
 
 
 
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