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PDTC123JMB

更新时间: 2024-11-01 13:12:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006B-3, 3 PIN

PDTC123JMB 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006B-3, 3 PINReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.6
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PBCC-N3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
参考标准:AEC-Q101; IEC-60134表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):230 MHzBase Number Matches:1

PDTC123JMB 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PDTC123ET  
NPN resistor-equipped transistor  
1999 May 21  
Product specification  
Supersedes data of 1998 May 08  

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