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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-75 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.12 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC123JEF | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123JEFT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN, BIP Gene |
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| PDTC123JET/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene |
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| PDTC123JK | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
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| PDTC123JM | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
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| PDTC123JM | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC123JM,315 | ETC |
获取价格 |
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 |
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| PDTC123JMB | NXP |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
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| PDTC123JMB | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ |
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| PDTC123JMB,315 | NXP |
获取价格 |
PDTC123JMB - NPN resistor-equipped transistor |
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