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NVMFD5C650NLWFT1G PDF预览

NVMFD5C650NLWFT1G

更新时间： 2024-09-30 11:10:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 229K
描述
Dual N-Channel Power MOSFET 60V, 111A, 4.2mΩ

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NVMFD5C650NLWFT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SO-8FL, DFN-8Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.49
雪崩能效等级（Eas）：186 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：111 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.0058 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：502 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVMFD5C650NLWFT1G 数据手册

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NVMFD5C650NL  
MOSFET – Power, Dual  
N-Channel  
60 V, 4.2 mW, 111 A  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
www.onsemi.com  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• NVMFD5C650NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
Inspection  
4.2 mꢂ @ 10 V  
5.8 mꢂ @ 4.5 V  
60 V  
111 A  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
Dual N−Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
D1  
D2  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
G1  
G2  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
I
111  
A
C
D
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
88  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
S1  
S2  
Power Dissipation  
T
C
= 25°C  
P
125  
62  
W
A
D
R
(Notes 1, 2)  
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
21  
ꢀ
JA  
T = 100°C  
A
15  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
D1 D1  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.5  
1.8  
502  
W
D
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
1
R
(Notes 1 & 2)  
ꢀ
JA  
D1  
D2  
D2  
XXXXXX  
AYWZZ  
T = 100°C  
A
DFN8 5x6  
(SO8FL)  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ꢁ s  
I
DM  
A
A
p
CASE 506BT  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+ 175  
°C  
D2 D2  
J
stg  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Source Current (Body Diode)  
I
S
91  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
186  
mJ  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Energy (T = 25°C, I  
= 6 A)  
J
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
R
1.37  
46.9  
°C/W  
ꢀ
JC  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
ꢀ
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
July, 2019 − Rev. P3  
NVMFD5C650NL/D  
 
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVMFD5C668NLT1G ONSEMI

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 		功率 MOSFET，60V，68 A，6.5 mΩ，双 N 沟道
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