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NVMFD5C672NLT1G PDF预览

NVMFD5C672NLT1G

更新时间： 2024-11-17 11:12:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 227K
描述
双 N 沟道，功率 MOSFET，60V，49A，11.9mΩ

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NVMFD5C672NLT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DFN8, SOP-8Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.49
雪崩能效等级（Eas）：66 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏源导通电阻：0.0168 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：146 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVMFD5C672NLT1G 数据手册

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MOSFET – Power, Dual  
N-Channel  
60 V, 11.9 mW, 40 A  
NVMFD5C672NL  
Features  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
www.onsemi.com  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
• NVMFD5C672NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
Inspection  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
11.9 mꢂ @ 10 V  
16.8 mꢂ @ 4.5 V  
60 V  
40 A  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Dual N−Channel  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
D1  
D2  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
40  
A
C
D
G1  
G2  
ꢀ
JC  
T
C
31  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
S1  
S2  
Power Dissipation  
T
C
P
42  
W
A
D
R
(Notes 1, 2)  
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
21  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
11  
MARKING  
DIAGRAM  
ꢀ
JA  
T = 100°C  
A
8.0  
3.1  
1.5  
161  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
D1 D1  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
W
D
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
1
R
(Notes 1, 2)  
ꢀ
JA  
D1  
D2  
D2  
T = 100°C  
A
XXXXXX  
AYWZZ  
DFN8 5x6  
(SO8FL)  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ꢁ s  
I
DM  
A
A
p
CASE 506BT  
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
D2 D2  
J
stg  
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Source Current (Body Diode)  
I
35.2  
66  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (T = 25°C, I  
= 2 A)  
J
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
3.55  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
ꢀ
JC  
R
47.51  
ꢀ
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
June, 2020 − Rev. 3  
NVMFD5C672NL/D  
 
1234567

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与NVMFD5C672NLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVMFD5C672NLWFT1G ONSEMI

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 		双 N 沟道，功率 MOSFET，60V，49A，11.9mΩ
NVMFD5C674NLT1G ONSEMI

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 		双 N 沟道功率 MOSFET 60V，42A，14.4mΩ
NVMFD5C674NLWFT1G ONSEMI

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 		双 N 沟道功率 MOSFET 60V，42A，14.4mΩ
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 		双 N 沟道功率 MOSFET 60V，26A，28mΩ
NVMFD5C680NLWFT1G ONSEMI

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 		双 N 沟道功率 MOSFET 60V，26A，28mΩ
NVMFD6H840NLT1G ONSEMI

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 		Dual N-Channel Power MOSFET 80 V, 74 A, 6.9 m
NVMFD6H840NLWFT1G ONSEMI

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 		Dual N-Channel Power MOSFET 80 V, 74 A, 6.9 m
NVMFD6H846NL ONSEMI

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 		MOSFET - Power, Dual N-Channel
NVMFD6H846NLT1G ONSEMI

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 		MOSFET - Power, Dual N-Channel
NVMFD6H846NLWFT1G ONSEMI

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 		MOSFET - Power, Dual N-Channel

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