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NTF2955PT1G PDF预览

NTF2955PT1G

更新时间： 2024-11-23 15:46:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 109K
描述
1700mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA, LEAD FREE, 318E-04, TO-261, 4 PIN

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NTF2955PT1G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：LEAD FREE, 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：0.185 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTF2955PT1G 数据手册

 浏览型号NTF2955PT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTF2955PT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTF2955PT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTF2955PT1G的Datasheet PDF文件第5页 
NTF2955, NVF2955,  
NVF2955P  
Power MOSFET  
−60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−223  
Features  
http://onsemi.com  
• Design for low R  
DS(on)  
• Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes  
• AEC−Q101 Qualified − NVF2955, NVF2955P  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
−60 V  
−2.6 A  
145 mW @ −10 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
P−Channel  
Applications  
• Power Supplies  
• PWM Motor Control  
• Converters  
D
• Power Management  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
−60  
20  
V
MARKING DIAGRAMS AND  
DSS  
PIN ASSIGNMENT  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
A
GS  
4 Drain  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−2.6  
−2.0  
2.3  
A
D
T = 85°C  
A
AYW  
2955G  
G
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
State  
P
W
A
A
D
4
3
1
Gate  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady T = 25°C  
State  
I
−1.7  
−1.3  
1.0  
2
A
D
Source  
1
2
Drain  
3
T = 85°C  
A
4 Drain  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
AYW  
2955PG  
G
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−17  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
J
3
1
Gate  
T
STG  
2
Source  
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
EAS  
225  
260  
mJ  
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Energy (V = 25 V, V = 10 V, I = 6.7 A,  
DD  
G
PK  
L = 10 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 seconds)  
T
L
°C  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction−to−Tab (Drain) − Steady State (Note 2)  
R
14  
q
JC  
NTF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000 /Tape & Reel  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
65  
°C/W  
q
q
JA  
JA  
R
150  
NVF2955T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1000/ Tape & Reel  
1000/ Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NVF2955PT1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in. pad size (Cu. area = 1.127  
2
in [1 oz] including traces)  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size (Cu. area = 0.341 in )  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 6  
NTF2955/D  
 
12345

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NTF2955PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK2276 PANASONIC

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK3032 PANASONIC

功能相似

 Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3029 PANASONIC

功能相似

 Silicon N-Channel Power F-MOS FET

与NTF2955PT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTF2955T1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTF2955T1G ONSEMI

获取价格

 		−60 V, −2.6 A, Single P−Channel SOT−2
NTF2955T1G UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
NTF2955T3 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTF2N08/D ETC

获取价格

 		80 V Power MOSFET
NTF3055-100 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel
NTF3055-100T1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel
NTF3055-100T1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts
NTF3055-100T3 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel
NTF3055-100T3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N−Channel

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