NTE2924

更新时间： 2025-08-17 22:49:51

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	32K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2924 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	410 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	6.8 A	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2924 数据手册

NTE2924

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Dynamic dv/dt Rating

D Repetitive Avalanche Rated

D Isolated Central Mounting Hole

D Fast Switching

D Ease of Paralleling

D Simple Drive Requirements

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= 10V), I_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W/°C

Gate–to–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20

Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Mounting Torque (6–32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfꢀ in (1.1Nꢀ m)

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS. . . . . . . . . . . 0.24°C/W

Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. V_DD= 50V, starting T_J= +25°C, L = 16mH, R_G= 25Ω, I_AS= 6.8A

Note 3. I_SD≤ 6.8A, di/dt ≤ 80A/µs, V_DD≤ 600V, T_J≤ +150°C

Note 4. Pules Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

12 3

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NTE2924 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK2777	TOSHIBA	功能相似	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS CHOPPER REGULATOR, DC-
NTE2379	NTE	功能相似	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
IXFA7N60P3	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE293	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier and Driver
NTE2930	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2931	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2932	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2933	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2934	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2935	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2936	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE293MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92VAR

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