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NTE2958 PDF预览

NTE2958

更新时间： 2024-09-09 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2958 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：700 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：1.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE2958 数据手册

 浏览型号NTE2958的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2958  
MOSFET  
N–Channel, Enhancement Mode  
High Speed Switch  
Applications:  
D SMPS  
D DC–DC Converter  
D Battery Charger  
D Power Supply of Printer  
D Copier  
D HDD, FDD, TV, VCR  
D Personal Computer  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Drain–Source Voltage (VGS = 0V), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V  
Gate–Source Voltage (VDS = 0V), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V  
Drain Current, ID  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A  
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Channel Temperature Range, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Channel–to–Case, Rth(ch–c) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.13°C/W  
Isolation Voltage, VISO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V  
Electrical Characteristics: (Tch = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
Gate–Source Breakdown Voltage  
Gate–Source Leakage  
V
V
DS  
V
DS  
V
GS  
V
DS  
V
DS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
= 0V, I = 1mA  
700  
±30  
–
–
–
–
–
V
V
(BR)DSS  
D
V
= 0V, I = ±100µA  
G
(BR)GSS  
I
= ±25V, V = 0V  
–
±10  
1.0  
4.0  
1.3  
6.5  
–
µA  
mA  
V
GSS  
DS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate Threshold Voltage  
I
= 700V, V = 0  
–
–
DSS  
GS  
V
= 10V, I = 1mA  
2.0  
–
3.0  
1.0  
5.0  
8.0  
GS(th)  
D
Static Drain–Source ON Resistance  
Drain–Source On–State Voltage  
Forward Transfer Admittance  
R
= 10V, I = 5A  
Ω
DS(on)  
D
V
= 10V, I = 5A  
–
V
DS(on)  
D
|y |  
fs  
= 10V, I = 5A  
4.8  
S
D
12

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