NTE2945

更新时间： 2024-09-09 22:49:51

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2945 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.14	雪崩能效等级（Eas）：	157 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2945 数据手册

NTE2945

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Low Static Drain–Source ON Resistance

D Improved Inductive Ruggedness

D Fast Switching Times

D Low Input Capacitance

D Extended Safe Operating Area

D Improved High Temperature Reliability

D TO220 Type Isolated Package

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage (Note 1), V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 1MΩ, Note 1), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current, I_D

Continuous

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9A

Pulsed (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A

Gate Current (Pulsed), I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.5A

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157mJ

Avalanche Current, I_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.32W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance:

Maximum Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12K/W

Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R_thCS. . . . . . . 0.5K/W

Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5K/W

Note 1. T_J= +25° to +150°C.

Note 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 3. L = 9.1mH, V_DD= 50V, R_G= 25Ω, Starting T_J= +25°C.

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