NTE2955

更新时间： 2024-09-09 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2955 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2955 数据手册

NTE2955

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Application:

D C_SSwitch for CRT Display Monitor

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Drain–Source Voltage (V_GS= 0V), V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Gate–Source Voltage (V_DS= 0V), V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current, I_D

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 200µH), I_DA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Maximum Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32W

Channel Temperature Range, T_ch. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Channel–to–Case, R_th(ch–c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.91°C/W

Isolation Voltage (AC for 1 minute, Terminal–to–Case), V_ISO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V

Electrical Characteristics: (T_ch= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Drain–Source Breakdown Voltage

Gate–Source Leakage

= 0V, I = 1mA

250

–

µA

(BR)DSS

= ±20V, V = 0V

±10

1.0

4.0

GSS

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate Threshold Voltage

= 250V, V = 0

–

DSS

= 10V, I = 1mA

2.0

–

3.0

GS(th)

Static Drain–Source ON Resistance

Drain–Source On–State Voltage

Forward Transfer Admittance

= 10V, I = 5A

0.40 0.52

Ω

DS(on)

= 10V, I = 5A

–

2.0

9.0

2.6

–

DS(on)

|y |

= 10V, I = 5A

–

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