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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NTE293
NTE293 PDF预览

NTE293

更新时间： 2024-02-09 02:19:00
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NTE 晶体音频放大器小信号双极晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier and Driver

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NTE293 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

NTE293 数据手册

 浏览型号NTE293的Datasheet PDF文件第2页 
NTE293 (NPN) & NTE294 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Amplifier and Driver  
Description:  
The NTE293 (NPN) and NTE294 (PNP) are silicon complementary transistors in a Giant TO92 type  
package designed for use in low–frequency power amplification and drive applications.  
Features:  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
60  
50  
5
Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10µA, I = 0  
–
–
–
–
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
C
E
V
I = 2mA, I = 0  
C B  
V
I = 10µA, I = 0  
–
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 20V, I = 0  
–
–
0.1  
240  
–
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
E
DC Current Gain  
h
FE  
V
V
= 10V, I = 500mA, Note 2  
120  
50  
–
–
C
= 5V, I = 1A, Note 2  
100  
0.2  
0.85  
200  
11  
B
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Current–Gain Bandwidth Product  
Collector Output Capacitance  
V
CE(sat)  
I = 500mA, I = 50mA, Note 2  
0.4  
1.2  
–
V
V
C
B
V
BE(sat)  
I = 500mA, I = 50mA, Note 2  
–
C
B
f
T
V
= 10V, I = 50mA, f = 200MHz  
–
MHz  
pF  
CB  
CB  
E
C
ob  
V
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
–
20  
e
Note 1. NTE293MP is a matched pair of NTE293 with their DC Current Gain (hFE) matched to within  
10% of each other.  
Note 2. Pulse measurement.  
12

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