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NTE295 PDF预览

NTE295

更新时间： 2024-09-09 22:49:51
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NTE 晶体驱动器小信号双极晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output, Driver

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NTE295 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：2.17
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：5 W
最大功率耗散 (Abs)：5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

NTE295 数据手册

 浏览型号NTE295的Datasheet PDF文件第2页 
NTE295  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output, Driver  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V  
Collector–Emitter Voltage (RBE = 150Ω), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A  
Collector Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW  
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 40V, I = 0  
Min  
–
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
–
–
1.0  
1.0  
–
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 4V, I = 0  
–
EBO  
EB  
C
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
V
V
I = 10µA, I = 0  
75  
75  
45  
5
–
(BR)CBO  
(BR)CER  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
E
I = 1mA, R = 150Ω  
–
–
V
C
BE  
I = 1mA, R = ∞  
–
–
V
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
I = 10µA, I = 0  
–
–
V
E
C
h
FE  
V
= 5V, I = 500mA  
60  
180  
–
–
320  
–
CE  
CE  
C
Current Gain Bandwidth Product  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
f
T
V
= 10V, I = 50mA  
250  
0.2  
0.9  
15  
1.8  
–
C
V
I = 500mA, I = 50mA  
0.6  
1.2  
25  
–
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
V
I = 500mA, I = 50mA  
–
C
B
C
ob  
V
= 10V, f = 1MHz  
–
pF  
W
%
CB  
CC  
Output Power  
P
O
V
= 12V, f = 27MHz, P = 35mW  
1.0  
60  
i
Collector Efficiency  
η
–
12

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